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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STS4NM20N |
| 英文描述： | N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET |
| 中文描述： | N溝道200伏0.11歐姆4A條的SO - 8超低柵極電荷的MDmesh MOSFET的二 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | STS4NM20N |
STS4NM20N
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STS8DNF30L | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| STTA12006 | TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| STTA1206 | TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| STTA1206DIRG | TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| STTA5012 | TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STS4PF20V | 功能描述:MOSFET P-Ch 20 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS4-TWIN | 制造商:Phoenix Contact 功能描述:TB,Spring-cage,Width:6.2mm,grey |
| STS4-TWIN/L | 制造商:Phoenix Contact 功能描述:TB,Spring-cage,Width:6.2mm,grey |
| STS4-TWIN-PE | 制造商:Phoenix Contact 功能描述:TB,Spring-cage,Width:6.2mm,green-yellow |
| STS5 | 制造商:Bourns Inc 功能描述: |
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