參數(shù)資料
型號(hào)： STS1HNK60
英文描述： N-CHANNEL 600V - 8 OHM - 0.3A SO-8 SUPERMESH POWER MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 8歐姆- 0.3A的SO - 8 SUPERMESH功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 301K
代理商： STS1HNK60
STS1HNK60
2/8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
( )
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
j
T
stg
Storage Temperature
( ) Pulse width limited by safe operating area
(1) I
SD
≤
0.3A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
THERMAL DATA
Rthj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
ON/OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
Parameter
Value
Unit
600
V
600
V
± 30
V
0.3
A
0.19
A
1.2
A
2
W
0.016
3
W/°C
V/ns
Operating Junction Temperature
-65 to 150
°C
Thermal Resistance Junction-ambient Max
62.5
°C/W
Test Conditions
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
50
μA
μA
V
GS
= ± 30 V
±100
nA
2.25
3
3.7
V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
8
8.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STS8DNF30L TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
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STTA1206 TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
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參數(shù)描述
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