型號(hào): | STS1FRM |
元件分類(lèi): | 通信、網(wǎng)絡(luò)模塊及開(kāi)發(fā)工具 |
英文描述: | Telecomm/Datacomm |
中文描述: | 電信/數(shù)據(jù)通信 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 157K |
代理商: | STS1FRM |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STS1HNK60 | N-CHANNEL 600V - 8 OHM - 0.3A SO-8 SUPERMESH POWER MOSFET |
STS1NK60Z | N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.25A SO-8 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET |
STS4NM20N | N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET |
STS8DNF30L | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
STTA12006 | TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STS1HNC60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A SO-8 PowerMesh⑩II MOSFET |
STS1HNK60 | 功能描述:MOSFET NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STS1NC60 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STS1NK60Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STS1NS20 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |