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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STQ-2016 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | STQ-2016 |
522 Almanor Ave., Sunnyvale, CA 94085
Phone: (800) SMI-MMIC
3
http://www.sirenza.com
EDS-102083 Rev C
700 - 1000 MHz Typical Device Performance
SSB Power vs. LO Frequency
-15
-13
-11
-9
-7
-5
700
750
800
850
900
950
1000
LO Frequency (MHz)
S
Carrier Feedthrough vs. LO Frequency
-50
-46
-42
-38
-34
-30
700
750
800
LO Frequency (MHz)
850
900
950
1000
C
Intermodulation Distortion vs.
SSB Output Power @ 880 MHz
-100
-80
-60
-40
-20
0
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
BB Input Level (dBVp-p diff.)
O
fundamental (each tone)
3rd intermod. (each tone)
Sideband Suppression vs. LO Frequency
30
34
38
42
46
50
700
750
800
850
900
950
1000
LO Frequency (MHz)
S
Output P1dB vs. LO Frequency
0
2
4
6
8
10
700
750
800
850
900
950
1000
LO Frequency (MHz)
O
RF & LO Port Return Losses
0
10
20
30
40
700
750
800
Frequency (MHz)
850
900
950
1000
R
RF Port
LO Port
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STQ1NC60 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STQ1NC60R-AP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STR-M6525 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STR2000SERIES | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STR6B5050SERIES | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STQ-2016-3 | 制造商:RF Micro Devices Inc 功能描述:IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP |
| STQ-2016-3Z | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:700-2500 MHz Direct Quadrature Modulator |
| STQ-2016Z | 制造商:RF Micro Devices Inc 功能描述:IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP |
| STQ2HNK60ZR-AP | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SuperMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| STQ2LN60K3-AP | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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