參數(shù)資料
型號: STPS6030CW
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 整流器
英文描述: 30 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 55K
代理商: STPS6030CW
STPS6030CW
2/6
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage
current
Tj = 25°C
VR =VRRM
0.7
1.5
mA
Tj = 125°C
200
400
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25
°CIF =30 A
0.46
0.52
V
Tj = 125°C
IF =30 A
0.39
0.45
Tj=25
°CIF =60 A
0.58
0.65
Tj = 125°C
IF =60 A
0.56
0.63
Pulse test : * tp = 380 *s,
δ <2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P=0.27xIF(AV) + 0.006 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
Per diode
Total
0.9
0.6
°C/W
Rth(c)
Coupling
0.3
°C/W
THERMAL RESISTANCES
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
(A)
F(av)
δ = 0.05 δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
P(W)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Conduction losses versus average current.
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
Tamb(°C)
Rth
(j-a)=Rth(j-c)
Rth
(j-a)=15°C/W
IF(av)(A)
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature(
δ = 0.5).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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