參數(shù)資料
型號： STPS20L15D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： LOW DROP OR-ing POWER SCHOTTKY DIODE
中文描述： 低壓降的OR - ing功耗肖特基二極管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： STPS20L15D
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th (j-c)
Junction to case
1.6
°
C/W
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Tests Conditions
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
R
*
Reverse leakage
current
Tj = 25
°
C
V
R
= 15V
6
mA
Tj = 100
°
C
V
R
= 15V
200
500
V
F
*
Forward voltage drop
Tj = 25
°
C
I
F
= 19 A
0.41
V
Tj = 25
°
C
I
F
= 40 A
0.52
Tj = 125
°
C
I
F
= 19 A
0.28
0.33
Tj = 125
°
C
I
F
= 40 A
0.42
0.50
Pulse test :
* tp = 380
μ
s,
δ
< 2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 0.18 x I
F(AV)
+ 8.10
-3
x I
F2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
1
2
3
4
5
6
7
8
PF(av)(W)
IF(av) (A)
δ
= 1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.05
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 1:
Average forward power dissipation versus
average forward current.
0
25
50
75
100
125
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
IF(av)(A)
Tamb(°C)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=35°C/W
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
= 1).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
50
100
150
200
250
IM(A)
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Tc=50°C
Tc=75°C
Tc=110°C
Fig. 3:
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values).
1.0E-4
1.0E-3
1.0E-2
1.0E-1
1.0E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp (s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 4:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
STPS20L15D/G
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PDF描述
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