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參數(shù)資料
| 型號： | STPS10L25G-TR |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 低壓差功率肖特基整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | STPS10L25G-TR |
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
IM(A)
Tc=25°C
Tc=100°C
Tc=75°C
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Fig.3 :
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values).
0
5
10
15
20
25
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
IR(mA)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
VR(V)
Fig.5 :
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
T
δ
=tp/T
tp
Fig.4 :
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
1
2
5
10
20
30
0.1
1.0
5.0
VR(V)
C(nF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig.6 :
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1.0
10.0
100.0
IFM(A)
VFM(V)
Typical values
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Fig.7 :
Forward voltage drop versus forward
current (maximum values).
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
S(Cu) (cm2)
Rth(j-a) (°C/W)
Fig.8 :
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, copper thickness : 35
μ
m).
(STPS10L25G only)
STPS10L25D/G
3/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS10L45CF | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS10L45CFP | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS10L45CG | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS10L45CT | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS130A | SCHOTTKY RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| STPS10L40C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS10L40CF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS10L40CFP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS10L40CG | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Dual CC Schottky barrier STPS10L40C 10A |
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