參數(shù)資料
型號： STP8A60
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Bi-Directional Triode Thyristor
中文描述： 雙向可控硅三極管
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 710K
代理商： STP8A60
-50
0
50
100
150
0.1
1
10
I
_
GT3
I
I
+
GT1
_
GT1
I
G
C
I
G
C
Junction Temperature [
o
C]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.1
1
10
C
Time (sec)
4/5
Fig 8. Transient Thermal Impedance
Fig 7. Gate Trigger Current vs.
Junction Temperature
Fig 9. Gate Trigger Characteristics Test Circuit
▼▲
6V
A
V
10
R
G
●
●
▼▲
A
V
10
6V
R
G
●
●
▼▲
A
V
10
6V
R
G
●
●
Test Procedure
Ⅰ
Test Procedure
Ⅱ
Test Procedure
Ⅲ
STP8A60
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STP8N50XI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | SOT-186VAR
STP8N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP8N80K5 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP8N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:130W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50
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