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參數(shù)資料
| 型號： | STM8L162R8T6 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封裝： | 10 X 10 MM, LQFP-64 |
| 文件頁數(shù)： | 85/116頁 |
| 文件大?。?/td> | 1229K |
| 代理商： | STM8L162R8T6 |
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Electrical parameters
STM8L162R8, STM8L162M8
Doc ID 17959 Rev 1
IDD(RUN)
Supply
current
in Run
mode
All
peripherals
OFF, code
executed
from Flash,
VDD from
1.65 V to
3.6 V
HSI RC
osc.(9)
fCPU = 125 kHz 0.33
TBD
mA
fCPU = 1 MHz
0.52
TBD
fCPU = 4 MHz
1.19
TBD
fCPU = 8 MHz
2.08
TBD
fCPU = 16 MHz
3.94
TBD
HSE
external
clock
(fCPU=fHSE)
fCPU = 125 kHz TBD
TBD
fCPU = 1 MHz
TBD
fCPU = 4 MHz
TBD
fCPU = 8 MHz
TBD
fCPU = 16 MHz
TBD
LSI RC osc.
fCPU = fLSI
TBD
LSE external
clock
(32.768
kHz)(10)
fCPU = fLSE
TBD
1.
Based on characterization results, unless otherwise specified
2.
All peripherals OFF, VDD from 1.65 V to 3.6 V, HSI internal RC osc. , fCPU=fSYSCLK
3.
For devices with suffix 6
4.
For devices with suffix 3
5.
CPU executing typical data processing
6.
The run from RAM consumption can be approximated with the linear formula:
IDD(run_from_RAM) = Freq * 95 A/MHz + 250 A
7.
Oscillator bypassed (HSEBYP = 1 in CLK_ECKCR). When configured for external crystal, the HSE consumption
8.
Design guaranteed, each individual device tested in production
9.
The run from Flash consumption can be approximated with the linear formula:
IDD(run_from_Flash) = Freq * 200 A/MHz + 330 A
10. Oscillator bypassed (LSEBYP = 1 in CLK_ECKCR). When configured for extenal crystal, the LSE consumption
Table 19.
Total current consumption in Run mode (continued)
Symbol
Para
meter
(1)
Conditions(1)(2)
Typ
Max
Unit
55°C
85 °C
(3)
105 °C
(4)
125 °C
(4)
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