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STH6NA80	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 5.8A I(D) \| TO-218
STHI07N50	Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1000; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:440V; Holding Current:50uA RoHS Compliant: NA
STHI07N50FI	Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:440V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount
STHI10N50	Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1000; Capacitance:20pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:440V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Surface Mount
STHI10N50FI	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220VAR

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Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1000; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:440V; Holding Current:50uA RoHS Compliant: NA

STHI07N50FI

Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:440V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount

STHI10N50

Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1000; Capacitance:20pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:440V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Surface Mount

STHI10N50FI

相關代理商/技術參數(shù)	參數(shù)描述
STH6N100	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH6N100FI	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH6N95K5-2	功能描述:MOSFET N-CH 950V 6A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.25 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1
STH6NA80	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 5.8A I(D) \| TO-218
STH6NA80FI	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STH6N100

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STH6N100FI

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STH6N95K5-2

功能描述:MOSFET N-CH 950V 6A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.25 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1

STH6NA80

STH6NA80FI

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR

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型號：	STH65N06FI
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 37A I(D) \| TO-218VAR
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 60V的五（巴西）直\| 37A條（丁）\|對218VAR
文件頁數(shù)：	2/7頁
文件大?。?/td>	326K
代理商：	STH65N06FI

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