參數(shù)資料
型號(hào)： STGY50NB60HD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V的IGBT的MAX247 PowerMESH
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： STGY50NB60HD
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-h
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-heatsink
Max
Max
Typ
0.5
30
0.1
o
C/W
oC/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(CES)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
I
C
= 250
μ
A
V
GE
= 0
600
V
I
CES
V
CE
= Max Rating
V
CE
= Max Rating
V
GE
=
±
20 V
T
j
=
T
j
= 125
o
C
25
o
C
100
1000
μ
A
μ
A
nA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
CE
= 0
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GE(th)
Gate Threshold
Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
3
5
V
V
CE(SAT)
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
C
= 50 A
I
C
= 50 A
T
j
= 125
o
C
2.3
1.9
2.8
V
V
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
=25 V
I
C
= 50 A
22
S
C
ies
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V
f = 1 MHz
V
GE
= 0
4500
450
90
pF
pF
pF
Q
G
Q
GE
Q
GC
V
CE
= 480 V
I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V
260
28
15
nC
nC
nC
I
CL
Latching Current
V
clamp
= 480 V
T
j
= 150
o
C
R
G
=10
200
A
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V
R
G
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 50 A
R
G
= 10
I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V
20
70
ns
ns
E
on
(
H
)
Turn-on Current Slope
Turn-on
Switching Losses
350
950
A/
μ
s
μ
J
STGY50NB60HD
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH4N90FI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH51002Z 1300nm Laser in Coaxial TO-Package
STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH9NA80 N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGY50NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 600V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGY80H65DFB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開(kāi)關(guān)能量:2.1mJ（開(kāi)），1.5mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:414nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:84ns/280ns 測(cè)試條件:400V，80A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:85ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGYA120M65DF2 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247? 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):360A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.95V @ 15V，120A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:1.8mJ（開(kāi)），4.41mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:66ns/185ns 測(cè)試條件:400V，120A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:202ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:600
STH 制造商:Panduit Corp 功能描述:
STH 24D12 制造商:Teledyne Relays 功能描述:RELAY SSR 13MA 32V DC-IN 12A 280V AC-OUT 4-PIN - Bulk
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