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STF4045AF	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| DARLINGTON \| 450V V(BR)CEO \| 36A I(C)
STF4045AV	Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:6A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
STF4045DF	Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:6A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
STF4045DV	Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:6A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
STF40NF06	N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 23A - TO-220FP STripFET II MOSFET

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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 36A I(C)

Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:6A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes

STF4045DF

STF4045DV

Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:6A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes

STF40NF06

N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 23A - TO-220FP STripFET II MOSFET

相關代理商/技術參數	參數描述
STE48NM50	功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 48 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STE48NM60	功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP RoHS:否類別:半導體模塊 >> FET 系列:MDmesh™ 標準包裝:10 系列:*
STE50DE100	功能描述:兩極晶體管 - BJT POWER MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STE50DE100_07	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1000V - 50A - 0.026 ohm
STE50N40	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 400V V(BR)DSS \| 50A I(D)

相關代理商/技術參數

參數描述

STE48NM50

功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 48 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STE48NM60

功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP RoHS:否類別:半導體模塊 >> FET 系列:MDmesh™ 標準包裝:10 系列:*

STE50DE100

功能描述:兩極晶體管 - BJT POWER MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

STE50DE100_07

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1000V - 50A - 0.026 ohm

STE50N40

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 50A I(D)

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型號：	STE47N50
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 500V V(BR)DSS \| 47A I(D)
中文描述：	晶體管\| MOSFET功率模塊\|獨立\| 500V五（巴西）直\| 47A條（丁）
文件頁數：	1/6頁
文件大?。?/td>	269K
代理商：	STE47N50

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