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相關(guān)PDF資料	PDF描述
STE180N05	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)DSS \| 180A I(D)
STE2001	Diac Thyristor; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole; Package/Case:Axial Leaded; Breakover Voltage Min:27V; Breakover Voltage, Typ:32V RoHS Compliant: Yes
STE2004	102 X 65 SINGLE CHIP LCD CONTROLLER/DRIVER
STE22N80	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 800V V(BR)DSS \| 22A I(D)
STE38N60	Diac Thyristor; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole; Package/Case:Axial Leaded; Peak Surge Current:2A; Breakover Voltage Min:56V RoHS Compliant: Yes

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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 50V V(BR)DSS | 180A I(D)

STE2001

Diac Thyristor; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole; Package/Case:Axial Leaded; Breakover Voltage Min:27V; Breakover Voltage, Typ:32V RoHS Compliant: Yes

STE2004

102 X 65 SINGLE CHIP LCD CONTROLLER/DRIVER

STE22N80

TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)DSS | 22A I(D)

STE38N60

Diac Thyristor; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole; Package/Case:Axial Leaded; Peak Surge Current:2A; Breakover Voltage Min:56V RoHS Compliant: Yes

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
STE180-75T2KI	功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 75volts 180uF 10% T2 case size RoHS:否制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫存號:T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
STE180-75T2MI	功能描述:CAP TANT 180UF 75V 20% AXIAL RoHS:否類別:電容器 >> 鉭系列:SuperTan® Extended STE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:TANTAMOUNT® 695D 電容:3.3µF 電壓 - 額定:50V 容差:±20% ESR（等效串聯(lián)電阻）:3.2 歐姆類型:保形涂層工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2414（6034 公制）尺寸/尺寸:0.236" L x 0.135" W（6.00mm x 3.43mm）高度 - 座高（最大）:0.085"（2.16mm）引線間隔:- 制造商尺寸代碼:F 特點(diǎn):通用包裝:帶卷 (TR) 壽命@溫度:-
STE180N05	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE
STE180N10	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 5.5 mohm - 180A - ISOTOP POWER MOSFET
STE180NE10	功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 180 A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

STE180-75T2KI

功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 75volts 180uF 10% T2 case size RoHS:否制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫存號:T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk

STE180-75T2MI

功能描述:CAP TANT 180UF 75V 20% AXIAL RoHS:否類別:電容器 >> 鉭系列:SuperTan® Extended STE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:TANTAMOUNT® 695D 電容:3.3µF 電壓 - 額定:50V 容差:±20% ESR（等效串聯(lián)電阻）:3.2 歐姆類型:保形涂層工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2414（6034 公制）尺寸/尺寸:0.236" L x 0.135" W（6.00mm x 3.43mm）高度 - 座高（最大）:0.085"（2.16mm）引線間隔:- 制造商尺寸代碼:F 特點(diǎn):通用包裝:帶卷 (TR) 壽命@溫度:-

STE180N05

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE

STE180N10

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 5.5 mohm - 180A - ISOTOP POWER MOSFET

STE180NE10

功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 180 A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號：	STE16N100
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1KV V(BR)DSS \| 16A I(D)
中文描述：	晶體管\| MOSFET功率模塊\|獨(dú)立\| 1KV交五（巴西）直\| 16A條（?。?/td>
文件頁數(shù)：	3/6頁
文件大?。?/td>	260K
代理商：	STE16N100

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