參數(shù)資料
型號： STD6N10T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 6A條（?。﹟至252
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 171K
代理商： STD6N10T4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 80 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 80 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
10
40
15
60
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
280
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
13
6
4
20
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 80 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
15
20
35
25
30
55
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
6
24
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 6 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 6 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, figure 5)
85
0.25
6
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area
Thermal Impedance
STD6N10
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD6NC40-1 Resettable Fuse; Series:250R; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:60V; Holding Current:0.18A; Tripping Current:0.65A; Length:12mm; Lead Pitch:5.1mm; Initial Resistance Min:0.8ohm; Initial Resistance Max:4ohm RoHS Compliant: Yes
STD6NC40T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD6NF10-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA
STD6NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252AA
STD70NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0062OHM - 60A - DPAK STRIPFET III POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STD6N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STD6N60M2 Series 600 V 4.5 A 1.2 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 4.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4.5A MDmesh II DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,1.06Ohm,4.5A Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,1.06,4.5A,N-Channel Power MOSFET
STD6N62K3 功能描述:MOSFET N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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STD6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1
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