參數(shù)資料
型號(hào): STD6N10-1
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直| 6A條(?。﹟至251
文件頁數(shù): 5/10頁
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代理商: STD6N10-1
Capacitance Variations
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
Normalized On Resistance vs Temperature
Turn-on Current Slope
Cross-over Time
Turn-off Drain-source Voltage Slope
STD6N10
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD6N10L1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA
STD6N10LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
STD6N10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
STD6NC40-1 Resettable Fuse; Series:250R; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:60V; Holding Current:0.18A; Tripping Current:0.65A; Length:12mm; Lead Pitch:5.1mm; Initial Resistance Min:0.8ohm; Initial Resistance Max:4ohm RoHS Compliant: Yes
STD6NC40T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD6N10L 功能描述:MOSFET TO-252 N-CH 100V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD6N10L1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA
STD6N10LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
STD6N10T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
STD6N52K3 功能描述:MOSFET N-channel 525 V MDMesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube