參數(shù)資料
型號(hào)： STB8NA50-1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-262VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 8A條（?。﹟對(duì)262VAR
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 558K
代理商： STB8NA50-1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB8NC50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
STB8NS25T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
STD616AT4 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 1.6A I(C) | TO-252AA
STD6N10-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251
STD6N10L1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB8NC50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
STB8NC50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
STB8NC50T4 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB8NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.90ohm - 6.8A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STB8NC70Z-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.90ohm - 6.8A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
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