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參數(shù)資料
| 型號： | STB3NB60-1 |
| 英文描述： | FUSE W/HOLDER, 2.0A, 125V, SLO-BLO, SMT |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 3.3AI（四）|對262AA |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 305K |
| 代理商： | STB3NB60-1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB8NA50-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-262VAR |
| STB8NC50T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
| STB8NS25T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
| STD616AT4 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 1.6A I(C) | TO-252AA |
| STD6N10-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB3NB60T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB3NC60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSFET |
| STB3NC60-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA |
| STB3NC60T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-263AB |
| STB3NC90 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
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