參數(shù)資料
型號： STB22NS25ZT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五（巴西）直| 22A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 3/10頁
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代理商： STB22NS25ZT4
3/10
STP22NS25Z / STB22NS25Z
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(Voff)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
GATE-SOURCE ZENER DIODE
Symbol
BV
GSO
Gate-Source Breakdown
Voltage
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s
ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be
applied fromgate to souce. In this respect the Zenervoltage is appropriateto achieve anefficient and cost-
effective interventionto protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the usage
of external components.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 125 V, I
D
= 11 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
20
ns
t
r
Rise Time
30
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
V
DD
= 200V, I
D
= 20 A,
V
GS
= 10V
108
151
nC
Gate-Source Charge
11
nC
Gate-Drain Charge
40
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 125V, I
D
= 11 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
100
78
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off- Delay Time
Fall Time
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
clamp
= 200V, I
D
= 22 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
37
65
110
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
22
A
Source-drain Current (pulsed)
88
A
Forward On Voltage
I
SD
= 22 A, V
GS
= 0
I
SD
= 22 A, di/dt = 100A/
μ
s
V
DD
= 50V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
292
ns
Reverse Recovery Charge
3065
nC
Reverse Recovery Current
21
A
Parameter
Test Conditions
Igs=
±
500
μ
A (Open Drain)
Min.
20
Typ.
Max.
Unit
V
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