參數(shù)資料
型號(hào): STB210NF02T4
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 120A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五(巴西)直| 120A條(?。﹟對(duì)263AB
文件頁數(shù): 13/14頁
文件大?。?/td> 194K
代理商: STB210NF02T4
13/14
STB210NF02/-1 STP210NF02
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
A0
10.5
10.7
0.413
0.421
B0
D
15.7
1.5
15.9
1.6
0.618
0.059
0.626
0.063
D1
1.59
1.61
0.062
0.063
E
F
1.65
11.4
1.85
11.6
0.065
0.449
0.073
0.456
K0
4.8
5.0
0.189
0.197
P0
P1
3.9
11.9
4.1
12.1
0.153
0.468
0.161
0.476
P2
R
1.9
50
2.1
0075
1.574
0.082
T
0.25
0.35
.0.0098
0.0137
W
23.7
24.3
0.933
0.956
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
N
T
1.5
12.8
20.2
24.4
100
0.059
0.504
0.795
0.960
3.937
13.2
0.520
26.4
1.039
30.4
1.197
BASE QTY
1000
BULK QTY
1000
REEL MECHANICAL DATA
* on sales type
TUBE SHIPMENT (no suffix)*
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*
D
2
PAK FOOTPRINT
TAPE MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB22NS25ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
STB3300 FUSE 100A AUTO LINK 9/16
STB33N10 OVERCURRENT PTC 1206L025YRT SMD, 1206
STB33N10-1 1206L025, OVERCURRENT PTC
STB3NB60T4 FUSE W/HOLDER, 5.0A, 125V, SLO-BLO, SMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB21N65M5 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21N90K5 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NK50Z 功能描述:MOSFET N-ch 500 Volt 17Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM50N 功能描述:MOSFET 500V 0.15Ohm 18A N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM50N-1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube