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參數(shù)資料
| 型號： | ST72331 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8-Bit MCU with 8 to 16K ROM/OTP/EPROM, 256 EEPROM, 384 to 512 Bytes RAM, ADC, WDG, SCI, SPI and 2 Timers(8位微控制器(8M)) |
| 中文描述： | 8位微控制器與8至16K的光碟/雙層/存儲器，256的EEPROM，384字節(jié)RAM為512，藝發(fā)局，水分散粒劑，脊髓損傷，SPI和2計時器（8位微控制器（8米）） |
| 文件頁數(shù)： | 86/98頁 |
| 文件大?。?/td> | 1123K |
| 代理商： | ST72331 |
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86/98
ST72331
(T
A
= -40 to +85°C unless otherwise specified)
Note 1
: Based on characterisation results, not tested.
Note
: Noise at V
DDA
, V
SSA
<10mV
Figure 47. ADC Conversion characteristics
EEPROM Specifications
Conditions
T
A
≤
25°C
Parameter
Min
Max
Unit
Write Time
3.5V to 5.5V @ f
OSC
= 16 MHz ; 3V to 5.5V @ f
OSC
= 8 MHz
T
A
=
85°C
3.5V to 5.5V @ f
OSC
= 16 MHz ; 3V to 5.5V @ f
OSC
= 8 MHz
T
A
=
25°C
T
A
=
55°C
10
1)
ms
15
ms
Write Erase Cycles
Data Retention
300,000
10
Cycles
Years
Analog to Digital Converter Electrical Specifications
Symbol
Parameter
Test Conditions
Value
Typ.
8
±
0.3
Unit
Min.
Max.
Res
DLE
ILE
t
C
Resolution
Differential linearity error
Integral linearity error
Conversion Time
Bit
f
OSC
= 16 MHz, V
DD
= 5V
±
0.5
±
1
LSB
f
OSC
= 16 MHz
8
μ
s
(2)
(1)
(3)
(4)
(5)
VR02133A
Offset Error OSE
Offset Error OSE
Gain Error GE
1 LSB (ideal)
1LSBideal
VrefP
VrefM
256
–
=
V
in(A)
(LSB
ideal
)
(1) Example of an actual transfer curve
(2) The ideal transfer curve
(3) Differential non-linearity error (DLE)
(4) Integral non-linearity error (ILE)
(5) Center of a step of the actual transfer curve
code
out
255
254
253
252
251
250
5
4
3
2
1
0
7
6
1
2
3
4
5
6
7
250 251 252 253 254 255 256
148
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| ST72331J2B6/XXX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8-Bit Microcontroller |
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