參數(shù)資料
型號： ST662ABD-TR
英文描述： DC to DC Converter
中文描述： DC至DC轉(zhuǎn)換器
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 131K
代理商： ST662ABD-TR
ELECTRICALCHARACTERISTICS
(Refer to the test circuits, V
CC
= 4.5V to 5.5V T
a
= T
min
to T
max
unless otherwisespecified. TypicalValue are referred at T
a
= 25
o
C)
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
o
OutputVoltage
I
o
= 0mA to20 mA
V
o
OutputVoltage
I
o
= 0mA to30 mA V
CC
= 4.75 to 5.5 V
I
Q1
Quiescent Current
No Load, V
SHDN
= 0
I
Q2
Shutdown Current
No Load, V
SHDN
= V
CC
I
SH
Shutdown Pin Current
V
SHDN
= 0V, V
CC
= 5V
V
SHDN
= V
CC
= 5V
V
il
Shutdown Input Low Threshold
V
ih
Shutdown Input High
Threshold
f
o
OscillatorFrequency
V
CC
= 5V, I
o
=30 mA
ν
Power Efficecy
V
CC
= 5V, I
o
=30 mA
R
sw
V
CC
- V
OUT
SwitchImpedance
V
SHDN
= V
CC
= 5V, I
o
= 100
μ
A
Do not overload or short the Output to Ground. If the above conditions are observerd, the device may be damaged.
Min.
11.4
Typ.
12
Max.
12.6
Unit
V
11.4
12
12.6
V
100
500
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
1
10
-50
-12
0
-5
0.4
2.4
V
400
KHz
72
%
K
1
2
Output Voltage vs Temperature
Supply Currentvs Temperature
OutputVoltage vs Temperature
SupplyCurrernt vs SupplyVoltage
ST662A
3/12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST662ACD-TR DC to DC Converter
ST662 MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:14A; On-Resistance, Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC; Leaded Process Compatible:No
ST662ABD MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:14A; On-Resistance, Rds(on):0.006ohm; Package/Case:8-SOIC; Leaded Process Compatible:No; Mounting Type:surface mount; Peak Reflow Compatible (260 C):No
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