參數(shù)資料
型號(hào)： ST330C08L3
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： 1230 A, 800 V, SCR, TO-200AC
封裝： METAL, BPUK-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： ST330C08L3
ST330C..L Series
2
Bulletin I25154 rev. D 04/03
www.irf.com
di/dt
Max. non-repetitive rate of rise
Gate drive 20V, 20
, t
r ≤
1s
of turned-on current
T
J
= T
J
max, anode voltage
≤ 80% V
DRM
Gate current 1A, di
g
/dt = 1A/s
V
d
= 0.67% V
DRM
, T
J
= 25°C
I
TM
= 550A, T
J
= T
J
max, di/dt = 40A/s, V
R
= 50V
dv/dt = 20V/s, Gate 0V 100
, t
p
= 500s
Parameter
ST330C..L
Units Conditions
Switching
1000
A/s
t
d
Typical delay time
1.0
t
q
Typical turn-off time
100
s
I
T(AV)
Max. average on-state current
650 (314)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (75)
°C
double side (single side) cooled
I
T(RMS)
Max. RMS on-state current
1230
DC @ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
TSM
Max. peak, one-cycle
9000
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
9420
A
t = 8.3ms
reapplied
7570
t = 10ms
100% V
RRM
7920
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I
2t
Maximum I
2t for fusing
405
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max.
370
t = 8.3ms
reapplied
287
t = 10ms
100% V
RRM
262
t = 8.3ms
reapplied
I
2
√t
Maximum I
2
√t for fusing
4050
KA
2
√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
T(TO)
1
Low level value of threshold
voltage
V
T(TO)
2
High level value of threshold
voltage
r
t1
Low level value of on-state
slope resistance
r
t2
High level value of on-state
slope resistance
V
TM
Max. on-state voltage
1.90
V
I
pk
= 1730A, T
J
= T
J
max, t
p
= 10ms sine pulse
I
H
Maximum holding current
600
I
L
Typical latching current
1000
0.91
(16.7% x
π x I
T(AV)
< I <
π x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.57
(16.7% x
π x I
T(AV)
< I <
π x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.57
(I >
π x I
T(AV)
),T
J
= T
J
max.
Parameter
ST330C..L
Units Conditions
0.93
(I >
π x I
T(AV)
),T
J
= T
J
max.
On-state Conduction
KA
2s
V
m
mA
T
J
= 25°C, anode supply 12V resistive load
Voltage
V
DRM
/V
RRM
, max. repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
DRM
/I
RRM
max.
Type number
Code
peak and off-state voltage
repetitive peak voltage
@ T
J
= T
J
max
VV
mA
04
400
500
08
800
900
ST2330C..L
12
1200
1300
50
14
1400
1500
16
1600
1700
18
1800
1900
20
2000
2100
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST330S16P1PBF 520 A, 1600 V, SCR, TO-209AE
ST333S08PFL0PBF 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE
ST333S08PFL1PBF 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE
ST333S08PFL0 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE
ST40RA166XH6 32-BIT, 166 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA372
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參數(shù)描述
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ST330C12C0 功能描述:SCR PHASE CONT 1200V 720A E-PUK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> SCR - 單個(gè) 系列:- 其它有關(guān)文件:X00619 View All Specifications 產(chǎn)品目錄繪圖:SCR TO-92 Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- SCR 型:靈敏柵極 電壓 - 斷路:600V 電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)（最大）:800mV 電壓 - 導(dǎo)通狀態(tài) (Vtm)（最大）:1.35V 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:500mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:800mA 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:200µA 電流 - 維持(Ih):5mA 電流 - 斷開(kāi)狀態(tài)（最大）:1µA 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):9A，10A 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線(xiàn) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-92-3 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):497-9067-1
ST330C12C0L 功能描述:SCR模塊 720 Amp 1200 Volt 1420 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
ST330C12C1 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:PHASE CONTROL THYRISTORS
ST330C12C1L 功能描述:SCR模塊 720 Amp 1200 Volt 1420 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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