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參數(shù)資料
| 型號： | ST303C08LDL1 |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 995 A, 800 V, SCR, TO-200AC |
| 封裝： | METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, BPUK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | ST303C08LDL1 |
ST303C..L Series
7
www.irf.com
Bulletin I25186 rev. B 04/00
Fig. 9 - On-state Voltage Drop Characteristics
Fig. 10 - Thermal Impedance Z
thJ-hs Characteristics
Fig. 11 - Reverse Recovered Charge Characteristics
Fig. 12 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 13 - Frequency Characteristics
100
1000
10000
0123
4
5
678
T = 2 5°C
J
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
sO
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t
(A
)
Instantan eous O n-s tate Voltage (V)
T = 1 25°C
J
ST303 C..L Ser ies
30
40
50
60
70
80
90
10 0
11 0
12 0
13 0
14 0
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18 0
1 0
20
30
40
5 0
60
70
80
90 1 0 0
M
a
xi
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Re
v
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C
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n
t-
Ir
r
(A
)
R a t e O f Fall O f Fo rw ard C u rre n t - di/ d t ( A / s)
200 A
S T 30 3C ..L S e rie s
T = 125 ° C
J
I
= 10 00 A
TM
500 A
300 A
100 A
80
10 0
12 0
14 0
16 0
18 0
20 0
22 0
24 0
26 0
28 0
30 0
32 0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
200 A
Rate O f Fa ll O f On -state Current - di/dt (A/s)
M
a
x
im
u
m
R
e
ve
rse
R
e
c
o
ve
ry
C
h
a
rg
e
-
Q
rr
(
C
)
ST30 3C..L Series
T = 125 °C
J
I
= 1 00 0 A
TM
500 A
300 A
100 A
E1
1 E 2
1 E3
1 E 4
50 H z
40 0
25 00
10 0
P u lse Ba se w id t h ( s)
10 00
15 00
3000
20 0
500
ST303 C. .L Se ries
Sinus o id a l p uls e
T
= 55 °C
C
Sn ub b e r c ircu it
R
= 1 0 o hm s
C
= 0.4 7 F
V
= 80 % V
s
D
DR M
20 00
tp
1E 1
0.00 1
0.0 1
0.1
1
0.00 1
0 .0 1
0 .1
1
1 0
Sq u a re W a v e P u lse D u ra tio n ( s )
th
J-
h
s
Tr
a
n
si
e
n
tT
h
e
rm
a
lI
m
p
e
d
a
n
c
e
Z
(K
/
W
)
St e a d y Sta t e V a lu e
R
= 0 .1 1 K / W
( S in gle S id e C o o le d )
R
= 0 .0 5 K / W
( D ou b le S id e C o oled )
(D C O p e ra t io n )
S T 303C ..L S e rie s
th J- hs
th J -hs
1E 2
1E 3
1E 4
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E 4
50 H z
400
2500
100
P u lse Ba se w id t h ( s)
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
1 000
1500
30 00
200
50 0
ST303 C. .L Serie s
Sinus o id a l p uls e
T
= 40 °C
C
2000
Sn ubbe r circ uit
R
= 1 0 o hm s
C
= 0.4 7 F
V
= 80% V
s
D
DR M
tp
1E 4
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