參數(shù)資料
型號(hào)： ST183C04CFL0
英文描述： 400V 690A Inverter Thyristor in a TO-200AB (A-Puk) package
中文描述： 400V 690A逆變晶閘管采用TO - 200AB（甲，北辰）封裝
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 176K
代理商： ST183C04CFL0
ST183C..C Series
2
www.irf.com
Bulletin I25178 rev. B 04/00
ST183C..C
40
Voltage
Code
V
DRM
/V
RRM
, maximum
repetitive peak voltage
V
V
RSM
, maximum
non-repetitive peak voltage
V
I
DRM
/I
RRM
max.
@ T
J
= T
J
max.
mA
Type number
04
400
500
08
800
900
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Frequency
Units
50Hz
400Hz
1000Hz
2500Hz
Recovery voltage Vr
Voltage before turn-on Vd
Rise of on-state current di/dt
770
730
600
350
50
660
600
490
270
50
1220
1270
1210
860
50
1160
1090
1040
730
50
5450
2760
1600
800
50
4960
2420
1370
680
50
A
V
DRM
V
DRM
V
DRM
50
50
-
-
-
-
A/
μ
s
°
C
Heatsink temperature
Equivalent values for RC circuit
40
47
/ 0.22μF
55
40
47
/ 0.22μF
55
40
47
/ 0.22μF
55
I
TM
180
o
el
180
o
el
100
μ
s
I
TM
I
TM
Current Carrying Capability
V
I
T(AV)
Max. average on-state current
@ Heatsink temperature
370 (130)
55 (85)
A
°
C
180
°
conduction, half sine wave
double side (single side) cooled
I
T(RMS)
I
TSM
Max. RMS on-state current
690
DC@ 25
°
C heatsink temperature double side cooled
Max. peak, one half cycle,
4900
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
5130
A
t = 8.3ms
reapplied
4120
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
4310
t = 8.3ms
Sinusoidal half wave,
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
120
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max
110
t = 8.3ms
reapplied
85
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
78
t = 8.3ms
I
2
√
t
Maximum I
2
√
t for fusing
1200
KA
2
√
s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Parameter
ST183C..C
Units
Conditions
On-state Conduction
KA
2
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST183C04CFN0 400V 690A Inverter Thyristor in a TO-200AB (A-Puk) package
ST183C08CFL0 800V 690A Inverter Thyristor in a TO-200AB (A-Puk) package
ST183C08CFN0 800V 690A Inverter Thyristor in a TO-200AB (A-Puk) package
ST183S04PFL0 400V 306A Inverter Thyristor in a TO-209AB (TO-93) package
ST183S04PFN0 400V 306A Inverter Thyristor in a TO-209AB (TO-93) package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ST183C04CFN0 功能描述:SCR INVERTER 400V 370A A-PUK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> SCR - 單個(gè) 系列:- 其它有關(guān)文件:X00619 View All Specifications 產(chǎn)品目錄繪圖:SCR TO-92 Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- SCR 型:靈敏柵極 電壓 - 斷路:600V 電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)（最大）:800mV 電壓 - 導(dǎo)通狀態(tài) (Vtm)（最大）:1.35V 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:500mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:800mA 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:200µA 電流 - 維持(Ih):5mA 電流 - 斷開狀態(tài)（最大）:1µA 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):9A，10A 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-92-3 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-9067-1
ST183C08CFL0 功能描述:SCR INVERTER 800V 370A A-PUK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> SCR - 單個(gè) 系列:- 其它有關(guān)文件:X00619 View All Specifications 產(chǎn)品目錄繪圖:SCR TO-92 Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- SCR 型:靈敏柵極 電壓 - 斷路:600V 電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)（最大）:800mV 電壓 - 導(dǎo)通狀態(tài) (Vtm)（最大）:1.35V 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:500mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:800mA 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:200µA 電流 - 維持(Ih):5mA 電流 - 斷開狀態(tài)（最大）:1µA 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):9A，10A 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-92-3 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-9067-1
ST183C08CFN0 功能描述:SCR INVERTER 800V 370A A-PUK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> SCR - 單個(gè) 系列:- 其它有關(guān)文件:X00619 View All Specifications 產(chǎn)品目錄繪圖:SCR TO-92 Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- SCR 型:靈敏柵極 電壓 - 斷路:600V 電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)（最大）:800mV 電壓 - 導(dǎo)通狀態(tài) (Vtm)（最大）:1.35V 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:500mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:800mA 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:200µA 電流 - 維持(Ih):5mA 電流 - 斷開狀態(tài)（最大）:1µA 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):9A，10A 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-92-3 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-9067-1
ST183C08CFN0 制造商:International Rectifier 功能描述:SCR Thyristor
ST183C08CFNO 制造商:n/a 功能描述:Power Semiconductor
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