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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST85LD1004T-60-RI-LBTE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)控制器/管理單元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封裝： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 204K |
| 代理商： | SST85LD1004T-60-RI-LBTE |
Fact Sheet
4 GByte NANDrive
SST85LD1004T
2008 Silicon Storage Technology, Inc.
S71394(01)-00-000
09/08
7
4.0 CAPACITY SPECIFICATION
Table 4-1 shows the default capacity and specific settings for heads, sectors, and cylinders. Users can change the
default settings in the drive ID table using the Identity-Drive command. If the total number of bytes is less than the
default, the remaining space could be used as spares to increase the flash drive endurance. It should also be noted that
if the total flash drive capacity exceeds the total default number of bytes, the flash drive endurance will be reduced.
TABLE
4-1: Default NANDrive Settings
Capacity
Total Bytes
Cylinders
Heads
Sectors
Max LBA
4 GByte
4,096,253,952
7937
16
63
8,000,496
T4-1.6 1394(01)
TABLE
4-2: Sustained Performance
Write Performance
Read Performance
Up to 20 MByte/sec
T4-2.6 1394(01)
TABLE
4-3: Supported ATA Modes
PIO
MWDMA
UltraDMA
Up to Mode-6
Up to Mode-4
T4-3.1394(01)
TABLE
4-4: Advanced NAND Management Technology Write Cycles
Write Cycles
per Group
No. of Groups
per Product
Wear-leveling Group Size
Cluster Size1
1. Optimized host cluster size setting.
100M
4
1 GByte
16 KByte
T4-4.1394(01)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SST85LD1004T-60-RI-LCTE-TM023 | 功能描述:閃存 4G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1004U-60-5I-LBTE | 功能描述:閃存 4G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1008M-60-4C-LBTE | 功能描述:閃存 8G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | 功能描述:閃存 8GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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