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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SSG35C60 |
| 英文描述： | TRIAC|600V V(DRM)|35A I(T)RMS|TO-208VARM6 |
| 中文描述： | 可控硅| 600V的五（DRM）的| 35A條口（T）的有效值|到208VARM6 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | SSG35C60 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSG35C60Y | TRIAC|600V V(DRM)|35A I(T)RMS|FBASE-R-HW30 |
| SSG35C80 | TRIAC|800V V(DRM)|35A I(T)RMS|TO-208VARM6 |
| SSH10N55 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
| SSH10N70 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
| SSH10N80 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSG35C60Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|600V V(DRM)|35A I(T)RMS|FBASE-R-HW30 |
| SSG35C80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|800V V(DRM)|35A I(T)RMS|TO-208VARM6 |
| SSG4224 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET |
| SSG4228 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Dual-N Enhancement Mode Power MOSFET |
| SSG42N60 | 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT |
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