參數(shù)資料
型號(hào)： SSD2019A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的|配對| P通道| 20V的五（巴西）直| 3.4AI（四）|蘇
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： SSD2019A
Dual P-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
Fig 4. Source-Drain Forward Voltage
SSD2019A
0
1
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
3
4
5
0
2
4
6
8
Vgs=-1.5V
Vgs=-1V
Vgs=-4.5,-4,-3.5,-3,-2.5,-2V
-
D
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.0
0.4
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.2
1.6
2.0
10
-1
10
0
150
o
C
25
o
C
-
D
5
10
15
20
25
30
0
200
400
600
800
1000
1200
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
12
14
0
1
2
3
4
V
DS
= -6 V
I
D
= -3.2A
-
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0
2
4
6
8
10
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
V
GS
= -3.0 V
V
GS
= -2.7 V
V
GS
= -4.5 V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
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PDF描述
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