型號: | SSD2013 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的|配對| N溝道| 12V的五(巴西)直| 5A條(?。﹟蘇 |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大小: | 116K |
代理商: | SSD2013 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SSD2015 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO |
SSD2019A | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO |
SSD2101 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO |
SSD2102 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SO |
SSD2104 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SSD2015 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO |
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SSD2017ATF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SSD2019A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO |
SSD2019ATF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |