參數(shù)資料
型號: SSD2013
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO
中文描述: 晶體管| MOSFET的|配對| N溝道| 12V的五(巴西)直| 5A條(?。﹟蘇
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大小: 116K
代理商: SSD2013
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSD2015 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO
SSD2019A TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO
SSD2101 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO
SSD2102 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SO
SSD2104 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SSD2015 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO
SSD20163P00240T-D01 制造商:Legacy Electronics Inc 功能描述:2.5- SSD, 16GB SATA II, SLC, I-TEMP - Bulk
SSD2017ATF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSD2019A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO
SSD2019ATF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube