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參數(shù)資料
| 型號： | SS3P3LHM3/87A |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | SS3P3LHM3/87A |
Document Number: 88986
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Revision: 19-Apr-11
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3
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SS3P3L, SS3P4L
Vishay General Semiconductor
New Product
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve
Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
80
90
100
110
120
130
140
150
Resistive or Inductive Load
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
Lead Temperature (°C)
T
L measured
at the Cathode Band Terminal
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
Average Forward Current (A)
A
v
er
age
P
o
w
er
Loss
(W)
D = t
p/T
t
p
T
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
orw
ard
C
u
rrent
(A)
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
30
40
60
80
20
50
70
90
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
100
1000
0.1
1
10
100
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
Junction to Ambient
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/W)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SS5P9-M3/87A | 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
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相關代理商/技術參數(shù) |
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| SS3P3-M3-84A | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
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