參數(shù)資料
型號： SRF447
英文描述： N-Channel Enhancement Mode RF Power MOSFET(250W-250V-65MHz)(N溝道增強(qiáng)型射頻功率MOS場效應(yīng)管(250W-250V-65MHz))
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式射頻功率MOSFET（250瓦- 250V - 65MHz）（不適用溝道增強(qiáng)型射頻功率馬鞍山場效應(yīng)管（250W的- 250V - 65MHz））
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 16K
代理商： SRF447
Characteristic
Input Capacitance
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 300V
f = 1MHz
Min.
Typ.
1500
Max.
1800
Unit
Characteristic
Common source Amplifier Power Gain
Test Conditions
f = 27.12MHz
Min.
Typ.
20
Max.
Unit
dB
SRF446
SRF447
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
Prelim. 5/98
80
%
No Degradation in Output
Power
70
130
27
50
C
iss
C
oss
C
rss
Characteristic
Junction to Case
Min.
Typ.
Max.
0.55
Unit
°C/W
R
θ
JC
THERMAL CHARACTERISTICS
1) Pulse Test: Pulse Width < 380
μ
S , Duty Cycle < 2%
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
pF
CAUTION — Electrostatic Sensitive Devices. Anti-Static Procedures Must Be Followed.
Characteristic
Drain – Source Breakdown Voltage
Test Conditions
V
GS
= 0V , I
D
= 250
μ
A
V
DS
= V
DSS
V
DS
= 0.8V
DSS
, T
C
= 125°C
V
GS
= ±30V , V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50mA
V
DS
= 25V, I
D
= 3.5A
I
D(ON)
= 3.5A V
GS
= 10V
Min.
900
Typ.
Max.
Unit
V
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(TH)
g
fs
V
DS(ON)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
GS
= 0V)
Gate – Source Leakage Current
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
On State Drain Voltage
1
25
250
±100
2
5
4
5.7
7
μ
A
nA
V
S
V
STATIC ELECTRICAL RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
G
ps
η
ψ
G
ps
η
ψ
Drain Efficiency
Electrical Ruggedness VSWR 20:1
Common source Amplifier Power Gain
Drain Efficiency
Electrical Ruggedness VSWR 20:1
V
GS
= 0V
Pout= 250W
f = 40.68MHz
V
DD
= 300V
V
GS
= 0V
Pout= 250W
V
DD
= 250V
15
75
dB
%
No Degradation in Output
Power
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SRF448A N-Channel Enhancement Mode RF Power MOSFET(250W-150V-65MHz)(N溝道增強(qiáng)型射頻功率MOS場效應(yīng)管(250W-150V-65MHz))
SRF448B N-Channel Enhancement Mode RF Power MOSFET(250W-150V-65MHz)(N溝道增強(qiáng)型射頻功率MOS場效應(yīng)管(250W-150V-65MHz))
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SSM2211-EVAL Low Distortion, 1.5 W Audio Power Amplifier
SSM2211SZ1 Low Distortion, 1.5 W Audio Power Amplifier
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參數(shù)描述
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SRF4532-101Y 功能描述:共模濾波器/扼流器 100uH 200mA 2000-5000mohms 10MHz RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE
SRF4532-110Y 功能描述:共模濾波器/扼流器 11uH 300mA 300-700mohms 10MHz RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE
SRF4532-220Y 功能描述:共模濾波器/扼流器 22uH 200mA 500-1000mohms 10MHz RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE
SRF4532-510Y 功能描述:共模濾波器/扼流器 51uH 200mA 1000-2000mohms 10MHz RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE
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