參數(shù)資料
型號: SQ742
廠商: Polyfet RF Devices
英文描述: SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述: 硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 37K
代理商: SQ742
S1E 2 DIE ID & GM Vs VG
0.01
0.10
1.00
10.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vgs in Volts
I
Id
gM
S1E 2 DIE CAPACITANCE
0.1
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
VDS IN VOLT S
25
30
35
40
45
50
Coss
Ciss
Crss
S Q742 F= 400MHZ, VDS = 50V, Idq= .6A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P I N I N W A T T S
10
11
12
13
14
15
16
17
18
Pout
Gain
Efficiency = 50%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
S11 & S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
SQ742
S1E 2 DIE IV
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VVDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
vg=8v
0
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/08/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
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