參數(shù)資料
型號(hào)： SQ741
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： SQ741
S1E 1 DIE ID & GM Vs VG
0.01
0.10
1.00
10.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vgs in Volts
I
Id
gM
S1E 1 DIE CAPACITANCE
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
VDS IN VOLT S
25
30
35
40
45
50
Coss
Ciss
Crss
S Q741 F= 400MHZ, VDS = 50V, Idq= .4A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P I N I N W A T T S
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
Pout
Gain
Efficiency = 55%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
S11 & S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
SQ741
S1E 1 DIE IV
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
2
vg=2v
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDS IN VOLTS
Vg=6v
I
Vg=4v
vg=8v
0
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/08/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
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PDF描述
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