參數(shù)資料
型號： SQ721
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： SQ721
S1C 1 DIE ID & GM Vs VG
0.01
0.10
1.00
10.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vgs in Volts
I
Id
gM
S1C 1 DIE CAPACITANCE
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
S Q721 P OUT VS P IN Freq= 400MHz, VDS = 12.5V, Idq= .4A
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0.5
1
1.5
2
P IN IN WAT T S
2.5
3
3.5
4
4.5
5
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
Pout
Gain
Efficiency = 60%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
SQ721
S1C 1 DIE IV
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
vg=2v
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VVDS IN VOLTS
I
Vg=4v
vg=8v
0
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/28/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
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