參數(shù)資料
型號(hào)： SPW17N80C2
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 17A條（?。﹟對(duì)247VAR
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 139K
代理商： SPW17N80C2
2000-05-29
Page 7
SPW17N80C2
Preliminary data
9 Typ. transfer characteristics
I
D
= f( V
GS
); V
DS
3
2 x I
D
x R
DS(on)max
parameter: t
p
= 10 μs
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
A
65
D
25°C
150°C
10 Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f(T
j
)
parameter: V
GS
= V
DS
, I
D
= 1 mA
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
G
min.
typ.
max.
11 Typ. gate charge
V
GS
= f (Q
Gate
)
parameter: I
D
= 17 A pulsed
SPW17N80C2
0
20
40
60
80
100
nC
140
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
0,8 V
DS max
DS max
V
0,2
12 Forward characteristics of body diode
I
F
= f(V
SD
)
parameter: T , t
p
= 10 μs
2
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
-1
10
0
10
1
10
A
SPW17N80C2
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
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