參數(shù)資料
型號： SMCJ85A-TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CMOS Quad D-Type Flip-Flop 16-SOIC -55 to 125
中文描述： TRANSILTM
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 75K
代理商： SMCJ85A-TR
1
10
VR(V)
100
200
0.01
0.10
1.00
10.00
C(nF)
F=1MHz
SMCJ5.0A
SMCJ188A
SMCJ58A
SMCJ33A
SMCJ18A
Fig. 5-1:
Capacitance versus reverse applied volt-
age (typical values) (SMCJxxA serie).
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.1
1.0
10.0
100.0
200.0
VFM(V)
IFM(A)
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 6:
Peak forward voltage drop versus peak for-
ward current (typical values).
0
1
2
3
4
5
40
50
60
70
80
90
100
S(cm2)
Rth(j-a) (°C/W)
Fig. 8:
Thermal resistance junction to ambient ver-
sus copper surface under each lead
(Printed circuit board FR4, e(Cu)=35
μ
m)
1
10
VR(V)
100
200
0.01
0.10
1.00
10.00
C(nF)
F=1MHz
SMCJ5.0CA
SMCJ188CA
SMCJ58CA
SMCJ33CA
SMCJ18CA
Fig. 5-2:
Capacitance versus reverse applied volt-
age (typical values) (SMCJxxCA serie).
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
0.01
0.10
1.00
tp(s)
Zth(j-a)/Rth(j-a)
Fig. 7:
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration.
(Printed circuit board FR4, S(Cu)=1cm
2
).
0
25
50
75
100
125
150
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
2E+3
Tj(°C)
IR[Tj] / IR [Tj=25°C]
VBR<8.5V
VBR upper or
equal to 8.5V
Fig. 9:
Relative variation of leakage current versus
junction temperature.
SMCJxxxA-TR, CA-TR
4/5
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PDF描述
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