參數資料
型號: SMBJ8.5C
元件分類: TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述: 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件頁數: 4/4頁
文件大?。?/td> 230K
代理商: SMBJ8.5C
Silicon Avalanche Diodes
265
www .littelfuse .com
6
SILICON
DIODE
ARRA
YS
600W Surface Mount Transient Voltage Supressors
SMBJ Series
Package Outline Dimensions and Pad Layout
2.16
2.74
2.16
2.26
Solder Pads
All dimensions in mm
RoHS
相關PDF資料
PDF描述
SMBJ130C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ250C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ180C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ440C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ13 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
相關代理商/技術參數
參數描述
SMBJ85C/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ85C/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ85C/55 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ85C/5B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ85CA 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 85Vr 600W 4.4A 5% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C