參數(shù)資料
型號： SMBJ8.5A-TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CMOS Hex Non-Inverting Buffer with 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
中文描述： TRANSILTM
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： SMBJ8.5A-TR
Fig.1:
Peakpulse powerdissipationversusinitial
junctiontemperature(printedcircuitboard).
Fig.2 :
Peakpulse power versusexponentialpulse duration.
SMBJxxxA-TR, CA-TR
3/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBJ85A-TR TRANSILTM
SMBJ85CA-TR TRANSILTM
SMBTA20 NPN Silicon AF Transistor
SMBTA43 NPN Silicon Transistors for High Voltages
SMBTA64 POWERLINE: RP15-S_DEW - 4:1 Wide Input Voltage Range- 15 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x40.6x10.2mm Package- Efficiency to 82%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SMBJ85A-TR 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ85C 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 85Vr 600W 4.4A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ85C/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ85C/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ85C/55 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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