型號(hào): | SMBJ33 |
元件分類(lèi): | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 230K |
代理商: | SMBJ33 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ6.0C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ60A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ64CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMCG100A/51 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCG110/57 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ33/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 33V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ33/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 33V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ33/2 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 33V |
SMBJ33/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 33V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ33/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 33V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |