型號: | SMBG12C/5B |
廠商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大小: | 75K |
代理商: | SMBG12C/5B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBG15A/51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG17C/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG43/51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG54A/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG64A/51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SMBG12CA | 功能描述:TRANSVOLTAGE SUPP 12V 600W RoHS:是 類別:過電壓,電流,溫度裝置 >> TVS - 二極管 系列:- 標準包裝:2,000 系列:TransZorb® 電壓 - 反向隔離(標準值):8V 電壓 - 擊穿:8.89V 功率(瓦特):500W 電極標記:單向 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC,DO-15,軸向 供應商設備封裝:DO-204AC(DO-15) 包裝:帶盒(TB) |
SMBG12CA/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG12CA/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG12CA/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG12CA/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |