參數(shù)資料
型號： SM8S22-2E
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-1
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： SM8S22-2E
SM8S Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88387
www.vishay.com
04-Jun-04
3
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
Power Derating Curve
0
2.0
4.0
6.0
8.0
0
50
100
150
200
P
o
w
er
Dissipation
(W)
Re
v
erse
Surge
P
o
w
er
(W)
Pulse Width (ms) – 1/2 IPP Exponential Waveform
1,000
10,000
10
100
Case Temperature (°C)
0
50
100
150
0
10
20
30
40
Input
P
eak
Pulse
Current
%
Time, ms (t)
Pulse Waveform
Reverse Power Capability
TA = 25°C
Pulse width (td) is defined as
the point where the peak
current decays to 50% of IPP
td
tr = 10s
Peak Value IPP
Half Value –
IPP
2
Load Dump Power Characteristics
(10ms Exponential Waveform)
0
2,000
1,000
3,000
4,000
5,000
6,000
25
50
75
100
125
150
175
Load
Dump
P
o
w
er
(W)
Case Temperature (°C)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(
°C/W)
0.01
110
100
10
1
100
0.01
0.1
t – Pulse Width (sec.)
0.1
RΘJA
RΘJC
Typical Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SP6129 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
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SA7.5A-BP 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15
SA150A-TP 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15
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參數(shù)描述
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SM8S22-E3/2D 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 8W 22V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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