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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SK80GB125T_07 |
| 廠商： | SEMIKRON |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 705K |
| 代理商： | SK80GB125T_07 |
SEMITOP
3
IGBT Module
SK80GB125T
Preliminary Data
Features
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Typical Applications
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GB - T
Characteristics
Symbol
Inverse Diode
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CA:9+O
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This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard
IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no
characteristics. No warranty or guarantee expressed or implied is made regarding
delivery, performance or suitability.
SK80GB125T
2
21-02-2007 SCT
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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