(VDD = 2.7 to 3.6 V, " />
參數(shù)資料
型號(hào)： SI4122-D-GM
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù)： 35/36頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 60
類型： 頻率合成器
PLL： 是
輸入： 時(shí)鐘
輸出： 時(shí)鐘
電路數(shù)： 1
比率 - 輸入:輸出： 1:2
差分 - 輸入:輸出： 無(wú)/無(wú)
頻率 - 最大： 1.5GHz
除法器/乘法器： 是/無(wú)
電源電壓： 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 28-VFQFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 28-QFN（5x5）
包裝： 托盤(pán)
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： 336-1103
SI4122-BM
Si4133
8
Rev. 1.61
Table 5. RF and IF Synthesizer Characteristics
(VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter1
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
XIN Input Frequency
f
REF
2—
26
MHz
Reference Amplifier Sensitivity
VREF
0.5
—
VDD
+0.3 V
VPP
Phase Detector Update Frequency
f
f= fREF/R
0.010
—
1.0
MHz
RF1 VCO Center Frequency Range
fCEN
947
—
1720
MHz
RF1 VCO Tuning Range2
Extended frequency
operation
1850
—
2050
MHz
RF2 VCO Center Frequency Range
fCEN
789
—
1429
MHz
RF Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
IF VCO Center Frequency Range
fCEN
526
—
952
MHz
IFOUT Tuning Range
with IFDIV
62.5
—
1000
MHz
IFOUT Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
RF1 VCO Pushing
Open loop
—
500
—
kHz/V
RF2 VCO Pushing
—
400
—
kHz/V
IF VCO Pushing
—
300
—
kHz/V
RF1 VCO Pulling
VSWR = 2:1, all
phases, open loop
—
400
—
kHzPP
RF2 VCO Pulling
—
300
—
kHzPP
IF VCO Pulling
—
100
—
kHzPP
RF1 Phase Noise
1 MHz offset
—
–132
—
dBc/Hz
RF1 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.9
—
degrees
rms
RF2 Phase Noise
1 MHz offset
—
–134
—
dBc/Hz
RF2 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.7
—
degrees
rms
IF Phase Noise
100 kHz offset
—
–117
—
dBc/Hz
IF Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
0.4
—
degrees
rms
Notes:
1. f = 200 kHz, RF1 = 1.6 GHz, RF2 = 1.2 GHz, IFOUT = 550 MHz, LPWR = 0, for all parameters unless otherwise noted.
2. Extended frequency operation only. VDD 3.0 V, QFN only, VCO Tuning Range fixed by directly shorting the RFLA and
RFLB pins. See Application Note 41 for more details on the Si4133 extended frequency operation.
3. From powerup request (PWDN
or SEN during a write of 1 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to RF and IF
synthesizers ready (settled to within 0.1 ppm frequency error).
4. From powerdown request (PWDN
, or SENduring a write of 0 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to supply current
equal to IPWDN.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4113-D-GM IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP
VI-JTH-MZ-F3 CONVERTER MOD DC/DC 52V 25W
VI-JTH-MZ-F1 CONVERTER MOD DC/DC 52V 25W
ICS87972DYILFT IC CLK MULT/ZD BUFFER 52-LQFP
IDT23S08E-1HPGG IC CLK MULT ZD HI DRIVE 16-TSSOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4122-D-GMR 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) Single-Band RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
SI4122-D-GT 功能描述:鎖相環(huán) - PLL SINGLE-BAND RF TSSOP-24 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray
SI4122-D-GTR 功能描述:時(shí)鐘發(fā)生器及支持產(chǎn)品 Single-Band RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:Clock Generators 最大輸入頻率:14.318 MHz 最大輸出頻率:166 MHz 輸出端數(shù)量:16 占空比 - 最大:55 % 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-56
SI4122DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4122DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 27.2A 6.0W 4.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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