參數(shù)資料
型號(hào)： SGW6N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 569K
代理商： SGW6N60UFD
SGW6N60UFD Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
100
1000
0
20
40
60
80
100
V
R
=200V
I
F
=4A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
R
r
di/dt [A/us]
100
1000
0
50
100
150
200
250
300
V
R
= 200V
I
F
= 4A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
S
r
di/dt [A/us]
100
1000
1
10
100
V
=200V
I
F
=4A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
R
r
di/dt [A/us]
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
Forward Voltage Drop, V
FM
[V]
F
F
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW6N60UF Ultra-Fast IGBT(超高速轉(zhuǎn)換絕緣柵雙極晶體管)
SH1605S 5A Efficient Switching Regulator
SH1605 5A Efficient Switching Regulator
SHD114468 POWER SCHOTTKY RECTIFIER LOW REVERSE LEAKAGE
SHD114468A POWER SCHOTTKY RECTIFIER LOW REVERSE LEAKAGE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW6N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/3A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW6N60UFTM 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGWA411M 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PANEL
SGWH0120000 制造商:LG Corporation 功能描述:SOLDER,SOLDERING
SGWH8046-KM 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PANEL
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*