參數(shù)資料
型號： SGW6N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT(超高速轉(zhuǎn)換絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 541K
代理商： SGW6N60UF
2000 Fairchild Semiconductor International
SGW6N60UF Rev. A
S
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
1
10
100
1000
0.1
1
10
50
Safe Operating Area
V
GE
=20V, T
C
=100
o
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
Zthjc + T
C
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
0
3
6
9
12
15
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC
= 100 V
Common Emitter
R
L
= 100
Tc = 25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
1
2
3
4
5
6
5
10
100
200
Eoff
Eon
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 80
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
0.3
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
50
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
Ic MAX. (Continuous)
Ic MAX. (Pulsed)
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
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PDF描述
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SGWA411M 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PANEL
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