參數(shù)資料
型號: SGL34-60
廠商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 0.8 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
封裝: PLASTIC, GL34, 2 PIN
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 95K
代理商: SGL34-60
www.mccsemi.com
MCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL41-40 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
SGL41-20-HE3 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
SGL41-30-E3 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
SGL41-60/51 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
SGL41-60-HE3 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL34-90 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Schottky barrier rectifiers diodes
SGL40N150 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
SGL40N150D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
SGL40N150DTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL40N150TU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube