- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374777 > SFH483E7800 (SIEMENS A G) GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SFH483E7800 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 4.2 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | SFH483E7800 |
SFH 483
Semiconductor Group
4
1997-11-01
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
1)
Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird
sichergestellt, da
β
bei der Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberflche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche über
Zusatzoptiken strend (z.B. Lichtschranken gro
β
er Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Me
β
verfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gr
β
e. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehngt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstrke
1)
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstrke
1)
(typ.)
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 ms
I
e min
I
e max
I
e typ.
1
3.2
mW/sr
mW/sr
20
mW/sr
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH484 | GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH484-2 | GaAlAs INFRARED EMITTER |
| SFH484-3 | GaAlAs INFRARED EMITTER |
| SFH484-1 | GaAlAs INFRARED EMITTER |
| SFH485P | GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SFH483L/ME7800 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter, 880 nm, TO-18, 23deg,SFH483 |
| SFH483L/M-E7800 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q4755_IR Emitter |
| SFH483L/ME78000 | 制造商:OSRAM 功能描述: |
| SFH483ME7800 | 制造商:OSRAM 功能描述: |
| SFH484 | 功能描述:EMITTER IR 880NM CLEAR 5MM RoHS:是 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強(qiáng)度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長:940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。