參數資料
型號： SD1487
廠商： 意法半導體
英文描述： RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
中文描述： 射頻
文件頁數： 2/5頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： SD1487
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
(T
case
=
25
°
C)
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
—
Unit
Min.
100
Max.
—
P
OUT
G
P
IMD
3
*
f
=
30 MHz
f
=
30 MHz
P
OUT
=
100WPEP V
CE
=
12.5 V
f
=
1 MHz
f
=
30 + 30.001MHz
V
CE
=
12.5 V
V
CE
=
12.5 V
I
CQ
=
150mA
I
CQ
=
150mA
I
CQ
=
150mA
W
11
—
13
—
—
30
—
dB
dBc
C
OB
V
CB
=
12.5 V
—
400
pF
*Note:
STATIC
Symbol
Test Conditions
Value
Unit
Min.
36
36
18
4.0
Typ.
—
—
—
—
Max.
—
—
—
—
BV
CBO
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
=
100mA
I
C
=
100mA
I
C
=
100mA
I
E
=
20mA
V
CE
=
15V
V
CE
=
5V
I
E
=
0mA
V
BE
=
0V
I
B
=
0mA
I
C
=
0mA
I
E
=
0mA
I
C
=
5A
V
V
V
V
—
10
—
—
20
200
mA
—
DYNAMIC
TYPICAL PERFORMANCE
POWER GAIN & COLLECTOR
EFFICIENCY vs POWER INPUT
IMD vs POWER OUTPUT, PEP
SD1487
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PDF描述
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參數描述
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SD1489 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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SD1490 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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