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參數(shù)資料
| 型號： | SBJ200-06J |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | SBJ200-06J |
SBJ200-06J
No.A0193-2/3
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
7508-001
13
2
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Anode
Top view
10.0
3.2
4.5
2.8
16.0
18.1
5.6
14.0
3.5
7.2
2.4
1.6
1.2
0.7
0.75
2.55
12
3
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Anode
SANYO : TO-220ML
(3)
(1)
0
16
12
4
8
14
10
2
6
520
25
10
15
IT10226
(4)
(2)
0
1.0
10
0.4
1.2
0.8
0.2
1.0
0.6
5
7
2
3
5
7
2
3
100
5
7
2
3
0.1
IT10224
150
°C
max
Tj=150
°C
typ
25
°C
typ
25
°C
max
(4)
(3)
(1)
0
6
8
18
16
12
14
10
4
2
40
70
50
60
30
20
10
(2)
IT10227
0
1.E--04
1.E--06
1.E--05
1.E--03
1.E--02
1.E--01
1.E+00
10
20
30
40
70
50
60
IT10225
Tj=150°C max
150°C typ
125°C typ
100°C typ
25°C typ
*Value per 2-element
Tj=150
°C
*Value per 2-element Tj=150
°C
*Value per element
IF -- VF
IR -- VR
PF(AV) -- IO
PR(AV) -- VRM
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
Reverse Voltage, VR -- V
Reverse
Current,
I
R
--
A
Peak Reverse Voltage, VRM -- V
A
verage
Reverse
Power
Dissipation,
P
R
(A
V)
-
W
Average Output Current, IO -- A
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
(1)Rectangular wave
θ=300°
(2)Rectangular wave
θ=240°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
180
°
360
°
VR
Sine wave
180
°
360
°
Sine wave
θ
360
°
Rectangular
wave
θ
360
°
VR
Rectangular
wave
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBL10100F | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SBL1080F | 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SBL1060F | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SBJ2630 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Rectifier Diodes - Single Diode |
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| SBJ2645 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Rectifier Diodes - Single Diode |
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