參數(shù)資料
型號: S71PL032J
廠商: Spansion Inc.
英文描述: STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
中文描述: 堆疊式多芯片產(chǎn)品,閃存和RAM
文件頁數(shù): 77/196頁
文件大?。?/td> 5729K
代理商: S71PL032J
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August 12, 2004 S29PL127J_064J_032J_MCP_00_A3
S29PL127J/S29PL064J/S29PL032J for MCP
77
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
of the final WE# pulse in the command sequence (prior to the program or erase
operation), and during the sector erase time-out.
During an Embedded Program or Erase algorithm operation, successive read cy-
cles to any address cause DQ6 to toggle. The system may use either OE# or CE#
to control the read cycles. When the operation is complete, DQ6 stops toggling.
After an erase command sequence is written, if all sectors selected for erasing
are protected, DQ6 toggles for approximately 400 μs, then returns to reading
array data. If not all selected sectors are protected, the Embedded Erase algo-
rithm erases the unprotected sectors, and ignores the selected sectors that are
protected.
The system can use DQ6 and DQ2 together to determine whether a sector is ac-
tively erasing or is erase-suspended. When the device is actively erasing (that is,
the Embedded Erase algorithm is in progress), DQ6 toggles. When the device en-
ters the Erase Suspend mode, DQ6 stops toggling. However, the system must
also use DQ2 to determine which sectors are erasing or erase-suspended. Alter-
natively, the system can use DQ7 (see the DQ7: Data# Polling).
If a program address falls within a protected sector, DQ6 toggles for approxi-
mately 1 μs after the program command sequence is written, then returns to
reading array data.
DQ6 also toggles during the erase-suspend-program mode, and stops toggling
once the Embedded Program algorithm is complete.
Table
19
shows the outputs for Toggle Bit I on DQ6.
Figure 7
shows the toggle bit
algorithm.
Figure 19
in “Read Operation Timings” shows the toggle bit timing di-
agrams.
Figure 20
shows the differences between DQ2 and DQ6 in graphical
form. See also the DQ2: Toggle Bit II.
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PDF描述
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