參數(shù)資料
型號： S4111-16Q
廠商： Hamamatsu Photonics
英文描述： MOSFET, Switching; VDSS (V): 500; ID (A): 19; Pch : 35; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.325; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1800; toff (µs) typ: 0.093; Package: TO-220FN
中文描述： 硅光電二極管陣列16，35，46元素硅的紫外到近紅外光電二極管陣列
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： S4111-16Q
Si photodiode array
S4111/S4114 series
I
Dark current vs. reverse voltage
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0190
400
600
800
1000
1200
WAVELENGTH
(nm)
P
(Typ. Ta=25 C)
S4114
SERIES
S4111-16Q/-35Q/-46Q
S4111-16R
I
Spectral response
KMPDB0112EA
+1.4
+1.2
+1.0
+0.8
+0.6
+0.4
+0.2
-0.2
0
190
1100
WAVELENGTH
(nm)
800
1000
600
400
T
C
(Typ. )
S4111
SERIES
S4114
SERIES
KMPDB0113EA
1
10
R
LIGHT POSITION ON ACTIVE AREA (500
m
m/div.)
(Ta=25
C,
l
=655 mm, V
R
=0 V)
0.1
100
KMPDB0015EA
100
10
1
0.1
R
LIGHT POSITION ON ACTIVE AREA (500
m
m/div.)
(Ta=25
C,
l
=655 mm, V
R
=0 V)
KMPDB018EB
0.01
0.1
1
10
100
100 fA
10 fA
1 pA
10 pA
100 pA
REVERSE VOLTAGE (V)
D
S4114-35Q/-46Q
S4111-35Q/-46Q
S4111-16Q/-16R
(Typ. Ta=25
C)
KMPDB0114EA
0.1
1
10
100
10 pF
100 pF
1 nF
REVERSE VOLTAGE (V)
T
S4111-16Q/-16R
S4114-35Q/-46Q
S4111-35Q/-46Q
(Typ. Ta=25
C)
KMPDB0115EA
I
Example of cross-talk
S4114 series
S4111 series
I
Terminal capacitance vs. reverse voltage
I
Photo sensitivity temperature characteristics
2
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PDF描述
S4111-16R MOSFET, Switching; VDSS (V): 500; ID (A): 25; Pch : -; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.21; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2600; toff (µs) typ: 103; Package: TO-3P
S4111-35Q Si photodiode array 16, 35, 46 element Si photodiode array for UV to NIR
S4111-46Q Si photodiode array 16, 35, 46 element Si photodiode array for UV to NIR
S4114-35Q Si photodiode array 16, 35, 46 element Si photodiode array for UV to NIR
S4114-46Q Si photodiode array 16, 35, 46 element Si photodiode array for UV to NIR
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參數(shù)描述
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